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                                上海伯東真空產品事業部搬遷通知

                                霍爾離子源 eH 2000
                                閱讀數: 7618

                                霍爾離子源 eH 2000

                                KRI 霍爾離子源 eH 2000
                                上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統. 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
                                尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
                                放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
                                操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

                                KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
                                水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
                                可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
                                寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
                                多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便
                                高效的等離子轉換和穩定的功率控制

                                KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術參數

                                型號

                                eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

                                供電

                                DC magnetic confinement

                                  - 電壓

                                40-300V VDC

                                  - 離子源直徑

                                ~ 5 cm

                                  - 陽極結構

                                模塊化

                                電源控制

                                eHx-30010A

                                配置

                                -

                                  - 陰極中和器

                                Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

                                  - 離子束發散角度

                                > 45° (hwhm)

                                  - 陽極

                                標準或 Grooved

                                  - 水冷

                                前板水冷

                                  - 底座

                                移動或快接法蘭

                                  - 高度

                                4.0'

                                  - 直徑

                                5.7'

                                  - 加工材料

                                金屬
                                電介質
                                半導體

                                  - 工藝氣體

                                Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

                                  - 安裝距離

                                16-45”

                                  - 自動控制

                                控制4種氣體

                                * 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

                                KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域
                                •  離子輔助鍍膜 IAD
                                •  預清洗 Load lock preclean
                                •  預清洗 In-situ preclean
                                •  Direct Deposition
                                •  Surface Modification
                                •  Low-energy etching
                                •  III-V Semiconductors
                                •  Polymer Substrates

                                1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

                                 

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