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                                上海伯東真空產品事業部搬遷通知

                                KRI 考夫曼離子源 KDC 75
                                閱讀數: 2707

                                KRI 考夫曼離子源 KDC 75

                                KRI 考夫曼離子源 KDC 75
                                上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
                                 

                                KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數

                                型號

                                KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出)

                                供電

                                DC magnetic confinement

                                 - 陰極燈絲

                                2

                                 - 陽極電壓

                                0-100V DC

                                電子束

                                OptiBeam™

                                 - 柵極

                                專用, 自對準

                                 -柵極直徑

                                7.5 cm

                                中和器

                                燈絲

                                電源控制

                                KSC 1212 或 KSC 1202

                                配置

                                -

                                 - 陰極中和器

                                Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

                                 - 安裝

                                移動或快速法蘭

                                 - 高度

                                7.9'

                                 - 直徑

                                5.5'

                                 - 離子束

                                聚焦
                                平行
                                散設

                                 -加工材料

                                金屬
                                電介質
                                半導體

                                 -工藝氣體

                                惰性
                                活性
                                混合

                                 -安裝距離

                                6-24”

                                 - 自動控制

                                控制4種氣體

                                * 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架

                                KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
                                濺鍍和蒸發鍍膜 PC
                                輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
                                表面改性, 激活 SM
                                離子濺射沉積和多層結構 IBSD
                                離子蝕刻 IBE


                                客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統配置
                                美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75
                                考夫曼離子源 KDC 75

                                 

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