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                                上海伯東真空產品事業部搬遷通知

                                射頻離子源 RFICP 100
                                閱讀數: 3045

                                射頻離子源 RFICP 100

                                KRI 射頻離子源 RFICP 100
                                上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.

                                KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數

                                型號

                                RFICP 100

                                供電

                                RF 射頻感應耦合

                                 - 陰極燈絲

                                -

                                 - 射頻功率

                                1 KW

                                電子束

                                OptiBeam™

                                 - 柵極

                                專用

                                 -柵極直徑

                                10 或 12 cm

                                中和器

                                LFN 2000

                                電源控制

                                RFICP 1510-2-10-LFNA

                                配置

                                -

                                 - 陰極中和器

                                LFN2000 or MHC1000 or RFN

                                 - 安裝

                                移動或快速法蘭

                                 - 高度

                                9.25'

                                 - 直徑

                                7.52'

                                 - 離子束

                                聚焦
                                平行
                                散設

                                 -加工材料

                                金屬
                                電介質
                                半導體

                                 -工藝氣體

                                惰性
                                活性
                                混合

                                 -安裝距離

                                6-18”

                                 - 自動控制

                                控制4種氣體

                                * 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

                                KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 應用領域
                                預清洗
                                表面改性
                                輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
                                濺鍍和蒸發鍍膜 PC
                                離子濺射沉積和多層結構 IBSD
                                離子蝕刻 IBE

                                客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統配置如下
                                美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
                                美國 HVA 真空閘閥
                                德國 Pfeiffer 分子泵 Hipace 2300
                                射頻離子源

                                 

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